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  • 型号: BSO080P03S H
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSO080P03S H由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSO080P03S H价格参考。InfineonBSO080P03S H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSO080P03S H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSO080P03S H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8MOSFET P-KANAL

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 14.9 A

Id-连续漏极电流

- 14.9 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSO080P03S HOptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSO080P03S_Rev1.31.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a3043271faefd0127b3af1f250a4b

产品型号

BSO080P03S H

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

Qg-GateCharge

- 102 nC

Qg-栅极电荷

- 102 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

上升时间

22 ns

下降时间

110 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5890pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

136nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8 毫欧 @ 14.9A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

P-DSO-8

其它名称

BSO080P03S HDKR

典型关闭延迟时间

130 ns

功率-最大值

1.79W

包装

Digi-Reel®

商标

Infineon Technologies

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

8 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

DSO-8

工厂包装数量

2500

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

43 S

汲极/源极击穿电压

- 30 V

漏极连续电流

- 14.9 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12.6A (Ta)

系列

BSO080P03

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

BSO080P03SHXUMA1 SP000613798

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